ČSN P CEN ISO/TS 80004-13 (by DeepL) - Nanotechnologie - Slovník - Část 13: Grafen a příbuzné dvourozměrné (2D) materiály
| Stáhnout normu: | ČSN P CEN ISO/TS 80004-13 (by DeepL) (Zobrazit podrobnosti) |
| Datum vydání/vložení: | 2021-02-01 |
| Třidící znak: | 012003 |
| Obor: | Nanotechnologie |
| ICS: |
|
| Stav: | Platná |
3.3.1.9 nízkoenergetická elektronová mikroskopie
LEEM
metoda zkoumající povrchy, při níž jsou obrazy a/nebo difrakční obrazce povrchů vytvářeny nízkoenergetickými elasticky zpětně rozptýlenými elektrony generovanými neskenujícím elektronovým svazkem.
Poznámka 1 k záznamu: Metoda se obvykle používá pro zobrazování a analýzu velmi plochých, čistých povrchů.
Poznámka 2 k položce: Nízkoenergetické elektrony mají energie obvykle v rozmezí 1 eV až 100 eV.
[ZDROJ: ISO 80004-6:2013, 3.5.8]
3.3.1.9 low energy electron microscopy
LEEM
method that examines surfaces where images and/or diffraction patterns of the surfaces are formed by low-energy elastically backscattered electrons generated by a non-scanning electron beam
Note 1 to entry: The method is typically used for the imaging and analysis of very flat, clean surfaces.
Note 2 to entry: Low energy electrons have energies typically in the range 1 eV to 100 eV.
[SOURCE: ISO 80004‑6:2013, 3.5.8]