ČSN P CEN ISO/TS 80004-8 - Nanotechnologie - Slovník - Část 8: Procesy nanovýroby
| Stáhnout normu: | ČSN P CEN ISO/TS 80004-8 (Zobrazit podrobnosti) |
| Datum vydání/vložení: | 2016-11-01 |
| Zdroj: | https://www.iso.org/obp/ui/#iso:std:iso:ts:80004:-8:ed-1:v1:en |
| Třidící znak: | 012003 |
| ICS: |
|
| Stav: | Neplatná |
7.3.10 leptání fokusovaným iontovým svazkem FIB
malé skvrny v substrátu vytvořené paprskem iontů (obvykle gallia), pomocí soustředěného souboru elektrostatických čoček
POZNÁMKA 1 k heslu Paprsek odstraní materiál ze substrátu pomocí fyzikálního odprašování. Pro vytvoření vzoru může být stopa paprsku skenována na povrchu. V tomto procesu může být získáno rozlišení v nanostupnici (2.7).
POZNÁMKA 2 k heslu Toto je známé také jako FIB omílání.
7.3.10 focused ion-beam etching FIB
beam of ions (usually gallium) focused through a set of electrostatic lenses to create a small spot on the substrate
NOTE 1 to entry The beam removes material from the substrate through physical sputtering. The beam spot can be scanned across the surface to create a pattern. Nanoscale (2.7) resolution can be obtained in this process.
NOTE 2 to entry Also known as FIB milling.