Nacházíte se: Domů » Terminologická databáze » ČSN P CEN ISO/TS 80004-8 - dry-ashing

ČSN P CEN ISO/TS 80004-8 - Nanotechnologie - Slovník - Část 8: Procesy nanovýroby

Stáhnout normu:	ČSN P CEN ISO/TS 80004-8 (Zobrazit podrobnosti) Zákazníci, kteří mají na svém počítači sjednanou od České agentury pro standardizaci (ČAS) službu ČSN on-line pro elektronický přístup do plných textů norem v pdf (verzi pro firmy nebo pro jednotlivce), mohou zde přímo otevírat citované ČSN.
Datum vydání/vložení:	2016-11-01
Zdroj:	https://www.iso.org/obp/ui/#iso:std:iso:ts:80004:-8:ed-1:v1:en
Třidící znak:	012003
ICS:	01.040.07 - Matematika. Přírodní vědy (názvosloví) 07.120 - Nanotechnologie
Stav:	Neplatná

Terminologie normy

‹

Nahlásit chybu

7.3.8 dry-ashing

form of chemical etching in which surface material is spontaneously etched by a neutral or activated gas and forms volatile etch products

EXAMPLE Photoresist mask removal in an oxygen plasma ambient.

forma chemického leptání, při kterém je povrchový materiál spontánně leptán neutrálním nebo aktivovaným plynem a tvoří těkavé produkty po leptání

PŘÍKLAD Odstranění masky fotorezistu v atmosféře kyslíkového plazmatu.