ČSN P CEN ISO/TS 80004-8 - Nanotechnologie - Slovník - Část 8: Procesy nanovýroby
| Stáhnout normu: | ČSN P CEN ISO/TS 80004-8 (Zobrazit podrobnosti) |
| Datum vydání/vložení: | 2016-11-01 |
| Zdroj: | https://www.iso.org/obp/ui/#iso:std:iso:ts:80004:-8:ed-1:v1:en |
| Třidící znak: | 012003 |
| ICS: |
|
| Stav: | Neplatná |
7.3.20 reactive ion etching RIE
form of plasma etching (7.3.18) in which the wafer is placed on a radio-frequency-driven electrode and the counter electrode has a larger area than the driven electrode
NOTE 1 to entry The plasma beam is generated under low pressure by an electromagnetic field. High energy ions, predominantly bombarding the surface normally create a local abundance of radicals that react with the surface. RIE can produce very anisotropic profiles as compared with isotropic profiles produced with wet etching (7.3.22).
7.3.20 reaktivní iontové leptání RIE
způsob leptání plazmatem (7.3.18), při kterém je polovodič umístěn na radiofrekvenčně buzené elektrodě, a při kterém má protielektroda větší plochu než buzená elektroda
POZNÁMKA 1 k heslu Paprsek plazmatu je generován za nízkého tlaku pomocí elektromagnetického pole. Vysokoenergetické ionty, které bombardují povrch převážně kolmo, vytváří lokální nadbytek radikálů, které reagují s povrchem. RIE mohou produkovat velmi anizotropní profily ve srovnání s izotropními profily vyrobenými pomocí mokrého leptání (7. 3.22).