ČSN P CEN ISO/TS 80004-8 - Nanotechnologie - Slovník - Část 8: Procesy nanovýroby
| Stáhnout normu: | ČSN P CEN ISO/TS 80004-8 (Zobrazit podrobnosti) |
| Datum vydání/vložení: | 2016-11-01 |
| Zdroj: | https://www.iso.org/obp/ui/#iso:std:iso:ts:80004:-8:ed-1:v1:en |
| Třidící znak: | 012003 |
| ICS: |
|
| Stav: | Neplatná |
7.3.18 plasma etching
process that takes place in a gaseous system consisting of ions and electrons formed by an electrical discharge to remove material from a substrate
NOTE 1 to entry The term plasma etching machine is usually restricted to a machine with two capacitive electrodes in which the material to be etched is immersed in the plasma.
NOTE 2 to entry As the ionization of the gas is rarely complete, there are also neutral species, some in an excited state (radicals) that can participate in the etching.
7.3.18 leptání plazmatem
proces, který probíhá v plynném systému, který se skládá z iontů a elektronů tvořených elektrickým výbojem, které jsou použity k odstranění materiálu ze substrátu
POZNÁMKA 1 k heslu Termín plazmový leptací stroj je obvykle omezen na stroje se dvěma kapacitními elektrodami, ve kterých je materiál, který má být leptán, ponořen do plazmatu.
POZNÁMKA 2 k heslu Vzhledem k tomu, že ionizace plynu je s neutrálními druhy tedy vzácně úplná, z nichž některé jsou v excitovaném stavu (radikály), a mohou se účastnit leptání.