Nacházíte se: Domů » Terminologická databáze » ČSN P CEN ISO/TS 80004-8 - radiation track etching

ČSN P CEN ISO/TS 80004-8 - Nanotechnologie - Slovník - Část 8: Procesy nanovýroby

Stáhnout normu:	ČSN P CEN ISO/TS 80004-8 (Zobrazit podrobnosti) Zákazníci, kteří mají na svém počítači sjednanou od České agentury pro standardizaci (ČAS) službu ČSN on-line pro elektronický přístup do plných textů norem v pdf (verzi pro firmy nebo pro jednotlivce), mohou zde přímo otevírat citované ČSN.
Datum vydání/vložení:	2016-11-01
Zdroj:	https://www.iso.org/obp/ui/#iso:std:iso:ts:80004:-8:ed-1:v1:en
Třidící znak:	012003
ICS:	01.040.07 - Matematika. Přírodní vědy (názvosloví) 07.120 - Nanotechnologie
Stav:	Neplatná

Terminologie normy

‹

Nahlásit chybu

7.3.19 radiation track etching

formation of a structure by etching along the pathways formed by radiation damage in a solid

EXAMPLE Porous polymer in which tracks are etched using a selective solvent that only dissolves short chains.

formování struktury leptáním po drahách vytvořených radiačním poškozením v pevné látce

PŘÍKLAD Porézní polymer, ve kterém jsou leptány stopy použitím selektivního rozpouštědla, které rozpouští pouze krátké řetězce.