ČSN IEC 60050-523 - Mezinárodní elektrotechnický slovník – Část 523: Mikroelektromechanické součástky
| Stáhnout normu: | ČSN IEC 60050-523 (Zobrazit podrobnosti) | |
| Změny: |
|
|
| Datum vydání/vložení: | 2019-06-01 | |
| Zdroj: | http://www.electropedia.org/iev/iev.nsf/welcome?OpenForm&Seq=1 | |
| Třidící znak: | 330050 | |
| Obor: | Terminologie - Mezinárodní slovník | |
| ICS: |
|
|
| Stav: | Platná |
523-06-05 spojování křemíku přetavením
technika spojování hydrofilizovaných substrátů vytvořených na křemíku, oxidovaném křemíku atd. pomocí primárně vodíkovými vazbami mezi povrchy, a poté vazbami Si-O-Si po vyžíhání při vysoké teplotě
POZNÁMKA 1 k heslu Spojování křemíku přetavením je používáno pro vytváření difuzních vrstev s nečistotami nebo izolačních vrstev uvnitř desky (waferu) pomocí spojování dvou křemíkových desek (waferů). Jedna nebo obě desky (wafery) mohou být oxidovány. Technologie se rovněž používá pro spojování desek (waferů), které obsahují nečistoty různých druhů nebo koncentrací, jako alternativní proces při hloubkové difuzi nečistot nebo epitaxiálním růstu, kde se vyžaduje vysoká teplota a dlouhá doba procesu. Hlavní problém spojování křemíku přetavením je vysoká teplota procesu; všechny procesy s nižší teplotou by měly být realizovány po spojení. Provádí se intenzivní studie snižování teploty procesu použitím plazmové oxidace před spojováním a použití technologie spojování nekřemíkových materiálů. Pomocí oxidovaných desek (waferů) může být dosaženo struktury křemík na izolantu (SOI), při které je izolační vrstva rozdělena dvěma křemíkovými vrstvami. Struktura SOI se používá pro oddělení komponent integrovaných prvků pomocí oxidu a dalších dielektrických materiálů pro zlepšení vlastností; například pro výrobu pole fotodiod atd. Další aplikace technologie je spojování desek (waferů), které byly vrtány nebo v nich byla vyříznuta drážka pro získání přesných struktur vytvořených uvnitř desky (waferu). Tato technika je používána pro vytvoření tlakových čidel nebo výměníků tepla pro laserové diody s interní chladicí strukturou atd.
[ZDROJ: IEC 62047-1:2016, 2.6.6]
523-06-05 silicon fusion bonding
technique of bonding hydrophilized substrates made of silicon, oxidized silicon, and so on by primary hydrogen bonds between the surfaces, and then by Si-O-Si bonds after annealing at high temperature
Note 1 to entry: Silicon fusion bonding is used to form impurity diffusion layers or insulation layers inside a wafer by bonding two silicon wafers, one or both of which may be oxidized. The technology is also used to bond wafers that contain impurities of different species or concentrations, as an alternative process to in-depth impurity diffusion or epitaxial growth where high temperatures and a long process time are required. The main problem with silicon fusion bonding is its high proces temperature; all lower-temperature processes should take place after the bonding. Studies are ongoing to lower the process temperature by the application of plasma oxidation treatment before bonding, and to apply the technology to bond non-silicon materials. By bonding oxidized wafers, the silicon-oninsulator (SOI) structure can be obtained, in which an insulation layer is sandwiched by two silicon layers. The SOI structure is used to separate integrated element components by oxide and other dielectric materials to improve performance; for example, to manufacture photodiode arrays and so on. Another application of the technology is bonding wafers that have been bored or cut with grooves, to obtain precise structures made inside a wafer. This technique is used to make pressure sensors, and heat exchangers for laser diodes with an internal cooling structure, and so on.
SOURCE: IEC 62047-1:2016, 2.6.6