ČSN IEC 60050-523 - Mezinárodní elektrotechnický slovník – Část 523: Mikroelektromechanické součástky
| Stáhnout normu: | ČSN IEC 60050-523 (Zobrazit podrobnosti) | |
| Změny: |
|
|
| Datum vydání/vložení: | 2019-06-01 | |
| Zdroj: | http://www.electropedia.org/iev/iev.nsf/welcome?OpenForm&Seq=1 | |
| Třidící znak: | 330050 | |
| Obor: | Terminologie - Mezinárodní slovník | |
| ICS: |
|
|
| Stav: | Platná |
523-06-08 průchozí otvor v křemíku TSV
kolmé průchozí elektrické propojení mezi všemi vrstvami křemíkové podložky
POZNÁMKA 1 k heslu Průchozí otvory na křemíku se používají hlavně u třírozměrných polovodičových součástek. V oblasti MEMS se tato technologie používá při technologii pouzdření na úrovni pouzdření waferu. Často jsou průchozí otvory v křemíku tvořeny průchodem, izolantem a materiálem, z kterého je tvořena kovová vrstva. Jako materiál elektrody se používá pájka, měď, dopovaný polysilikon atd.
POZNÁMKA 2 k heslu Tato poznámka se týká pouze francouzské jazykové verze.
[ZDROJ: IEC 62047-1:2016, 2.6.11]
523-06-08 through-silicon-via TSV
perpendicularly penetrating electro interconnection between both surfaces of a silicon substrate
Note 1 to entry: Through-silicon-vias are mainly applied to three-dimensionally stacked packaging of semiconductor devices. In the MEMS fields, the through-silicon-vias are applied to wafer level packaging technology. Some through-silicon-vias consist of through-via, insulator and electrode material. Solder, copper, doped-poly-silicon and so on are used as electrode materials.
Note 2 to entry: This note applies to the French language only.
SOURCE: IEC 62047-1:2016, 2.6.11